Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP82N04PDG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 82A TO263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP82N04PDG
NP82N04PDG-E1-AY Hakkında
NP82N04PDG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj, 82A sürekli drain akımı ve 3.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç yönetimi ve motor kontrolü uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 175°C işletme sıcaklığında çalışabilir. Düşük on-direnç özelliği sayesinde ısıl kayıpları minimize eder ve verimli anahtarlama sağlar. Güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, inverterler ve endüstriyel sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 82A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 143W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 41A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok