Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP82N04NUG-S18-AY
MOSFET N-CH 40V 82A TO262
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP82N04NUG
NP82N04NUG-S18-AY Hakkında
NP82N04NUG-S18-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source geriliminde 82A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (4.2mΩ @ 41A, 10V) ile güç uygulamalarında verimli çalışır. TO-262 paketindeki bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları, güç kaynakları ve hızlı PWM devrelerinde kullanılır. 175°C maksimum çalışma sıcaklığı, ±20V gate gerilim aralığı ve 160nC gate yükü özellikleriyle endüstriyel otomasyon ve elektrik kontrol sistemlerinde yer alır. Dikkat: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 82A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 143W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 41A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok