Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP82N04NDG-S18-AY
MOSFET N-CH 40V 82A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP82N04NDG
NP82N04NDG-S18-AY Hakkında
NP82N04NDG-S18-AY, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 82A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük gate kapasitansi (9pF @ 25V) ve minimal RDS(on) değeri (4.2mOhm @ 41A, 10V) sayesinde verimli anahtar işlemi sağlar. Motor kontrolleri, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve endüstriyel aydınlatma gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V gate-source gerilim aralığında çalışabilen bileşen, -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında kullanılabilir. Not: Bu parça üretimi durdurulmuş (Obsolete) bir üründür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 82A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 143W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 41A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok