Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP82N04MDG-S18-AY
MOSFET N-CH 40V 82A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP82N04MDG
NP82N04MDG-S18-AY Hakkında
NP82N04MDG-S18-AY, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 40V Drain-Source gerilimi ve 82A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4.2mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile güç elektronik uygulamalarında düşük enerji kaybı sağlar. 150nC gate charge ve 9000pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Motor kontrol, güç kaynakları, yükseltici/alçaltıcı dönüştürücüler ve elektrik arayüzleri gibi uygulamalarda kullanılır. Maksimum 175°C işletme sıcaklığında çalışabilir. Not: Bu parça artık üretimi durdurulmuş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 82A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 143W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 41A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok