Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP80N055PDG-E1B-AY
MOSFET N-CH 55V 80A TO263
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP80N055PDG
NP80N055PDG-E1B-AY Hakkında
NP80N055PDG-E1B-AY, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 6.6mΩ düşük on-state direnci (RDS On), 135nC gate charge ve hızlı anahtarlama özellikleri ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücü, güç kaynağı ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Maksimum 175°C çalışma sıcaklığında 115W güç saçabilir. Ürün stok dışı (obsolete) olup, yerine alternatif modeller değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok