Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP80N055NDG-S18-AY
MOSFET N-CH 55V 80A TO262
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP80N055NDG
NP80N055NDG-S18-AY Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen NP80N055NDG-S18-AY, 55V drain-source geriliminde 80A sürekli drenaj akımı sağlayan N-channel MOSFET transistördür. TO-262-3 (I²Pak) long leads paketinde sunulan bu bileşen, düşük açık direnç (6.9mΩ @ 40A, 10V Vgs) ile güç yönetimi, motor kontrol, elektrik güç dönüştürme ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 175°C çalışma sıcaklığı desteği ile endüstriyel ve ticari otomasyon sistemlerinde kullanılabilir. 135nC gate charge ve 6900pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama operasyonları için optimize edilmiştir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.9mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok