Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP80N055MHE-S18-AY
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP80N055MHE
NP80N055MHE-S18-AY Hakkında
NP80N055MHE-S18-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 55V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu transistör, 11mΩ maksimum on-direnci (10V gate geriliminde 40A'da) ile düşük güç kaybı sağlar. İleri gate-source gerilimi ±20V ve maksimum 4V threshold gerilimi ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun karakteristiklere sahiptir. DC motor kontrolü, güç kaynakları, solenoid sürücüleri ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Maksimum 175°C işletme sıcaklığında ve 120W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel ortamlarda çalışmaya elverişlidir. NOT: Bu ürün üretimi durdurulmuş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok