Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP80N055MDG-S18-AY
MOSFET N-CH 55V 80A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP80N055MDG
NP80N055MDG-S18-AY Hakkında
NP80N055MDG-S18-AY, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilim ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, düşük on-state direnci (6.9mΩ @ 40A, 10V) sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. 175°C maksimum jonksiyon sıcaklığında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik sistemlerde yaygın olarak kullanılır. Gate threshold gerilimi 2.5V olup, hızlı komutasyon özelliği ile 135nC gate charge değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.9mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok