Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP80N055KLE-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 80A TO263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP80N055KLE
NP80N055KLE-E1-AY Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen NP80N055KLE-E1-AY, 55V/80A kapasiteli N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 11mΩ (@ 40A, 10V) düşük gate-drain direncine sahiptir. Maksimum 175°C junction sıcaklığında çalışabilen transistör, güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve anahtar uygulamalarında kullanılır. 75nC gate charge ile hızlı komütasyon özellikleri sunar. Maksimum ±20V gate-source voltajı kapasitesi ve 2.5V threshold voltajı ile kontrol edilebilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok