Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP80N04NDG-S18-AY
MOSFET N-CH 40V 80A TO262
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP80N04NDG
NP80N04NDG-S18-AY Hakkında
NP80N04NDG-S18-AY, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drenaj-kaynak gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 4.8mOhm (10V, 40A'de) düşük on-state direncine sahiptir. 175°C'ye kadar çalışabilir ve maksimum 115W güç dağıtabilir. Gate şarj miktarı 135nC, eşik gerilimi 2.5V'dir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrolü ve güç yönetimi devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. Bileşen artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok