Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NP80N04MHE-S18-AY

MOSFET N-CH 40V 80A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
NP80N04MHE

NP80N04MHE-S18-AY Hakkında

NP80N04MHE-S18-AY, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 8mΩ on-state direnci ve 60nC gate charge karakteristiği ile motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. 175°C maksimum çalışma sıcaklığına sahiptir. Ürün obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok