Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NP80N03MLE-S18-AY

MOSFET N-CH 30V 80A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
NP80N03MLE

NP80N03MLE-S18-AY Hakkında

NP80N03MLE-S18-AY, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 7mOhm (40A, 10V koşullarında) olup, 120W'a kadar ısıl yayılım kapasitesine sahiptir. Gate threshold gerilimi 2.5V'tur. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve inverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3900 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok