Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NP75P04YLG-E1-AY

MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
NP75P04YLG

NP75P04YLG-E1-AY Hakkında

Renesas Electronics tarafından üretilen NP75P04YLG-E1-AY, 40V drain-source gerilimi ile çalışan P-Channel MOSFET transistördür. 75A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8-HSON surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 9.7mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. Maksimum 175°C işletme sıcaklığında çalışabilen transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC konvertör uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V kapı gerilimi sınırına sahip olan cihaz, 5V ve 10V sürüş gerilimlerinde optimum performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta), 138W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.7mOhm @ 37.5A, 10V
Supplier Device Package 8-HSON
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok