Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP60N06VLK-E1-AY
P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP60N06VLK
NP60N06VLK-E1-AY Hakkında
NP60N06VLK-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60A sürekli dren akımı, 60V dren-kaynak gerilimi ve 7.9mOhm maksimum RDS(On) değeri ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, otomotiv endüstrisi standartlarına uygun olarak tasarlanmıştır. ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilen transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve batarya yönetim sistemlerinde uygulanır. 175°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 105W güç dağılımı kapasitesi sayesinde yüksek yoğunluklu uygulamalara elverişlidir. 56nC gate charge ve 3600pF input capacitance ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 105W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 (MP-3ZP) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok