Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP60N055VUK-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP60N055VUK
NP60N055VUK-E1-AY Hakkında
NP60N055VUK-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilim (Vdss) ve 60A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 5.5mOhm maksimum On-direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. 10V drive voltajında 63nC gate charge değeri ile hızlı komutasyon özelliğine sahiptir. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 105W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 253µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok