Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP60N055NUK-S18-AY
MOSFET N-CH 55V 60A TO262
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP60N055NUK
NP60N055NUK-S18-AY Hakkında
NP60N055NUK-S18-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 6mOhm'luk düşük on-state direnci sayesinde güç uygulamalarında ısı kaybını minimize eder. Maksimum 175°C'de çalışabilen transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve güç yönetim uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş gerilimi ile standart kontrol devreleriyle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 105W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok