Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NP60N055KUG-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 60A TO263

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NP60N055KUG

NP60N055KUG-E1-AY Hakkında

NP60N055KUG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulur. 9.4mOhm ile düşük on-state direnç değeri, anahtarlama uygulamalarında enerji kaybını azaltır. ±20V gate gerilim aralığında çalışır ve 175°C maksimum junction sıcaklığında güvenli operasyon sağlar. 92nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Güç kaynakları, motor kontrol, DC-DC konvertörleri ve ağır akım anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5600 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-263
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok