Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NP60N04VUK-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 60A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NP60N04VUK

NP60N04VUK-E1-AY Hakkında

Renesas Electronics tarafından üretilen NP60N04VUK-E1-AY, 40V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, düşük on-resistance değeri (3.85mOhm @ 30A, 10V) ile enerji verimliliği sağlar. ±20V gate gerilim aralığında çalışabilen bileşen, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 175°C'ye kadar çalışma sıcaklığı ve 105W güç dağıtım kapasitesi (Tc) ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3680 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.85mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok