Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP60N04MUG-S18-AY
MOSFET N-CH 40V 60A TO220
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP60N04MUG
NP60N04MUG-S18-AY Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen NP60N04MUG-S18-AY, N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 60A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 6.3mΩ maksimum on-resistance değeri ile güç kaybını minimize eder. TO-220 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 175°C maksimum junction sıcaklığına dayanabilmesi ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir performans sağlar. ±20V gate-source voltaj aralığında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok