Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP60N03SUG-E1-AY
MOSFET N-CH 30V 60A TO252
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP60N03SUG
NP60N03SUG-E1-AY Hakkında
NP60N03SUG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 60A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan komponent, 3.8mΩ'luk düşük RDS(on) değeri ile verimli enerji transferi sağlar. Gate charge değeri 135nC olup, hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 105W güç dağıtımı kapasitesine ve 175°C'ye kadar çalışma sıcaklığına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 105W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 (MP-3ZK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok