Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP60N03KUG-E1-AY
MOSFET N-CH 30V 60A TO263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP60N03KUG
NP60N03KUG-E1-AY Hakkında
NP60N03KUG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajında 60A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (4.8mOhm @ 30A, 10V) ile karakterizedir. 10V gate sürme voltajında çalışır ve maksimum ±20V gate voltajını tolere eder. Gate şarj miktarı 93nC olup giriş kapasitanası 5300pF'dir. Sürücü devreler, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve güç anahtarlama devrelerinde kullanılan bu MOSFET, 175°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklıdır. Maksimum 88W güç dağıtımı kapasitesine (Tc'de) sahiptir. Bileşen güncel olmayan versiyondur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok