Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NP55N055SUG-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 55A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NP55N055SUG

NP55N055SUG-E1-AY Hakkında

NP55N055SUG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 55V drain-source voltaj kapasitesi ve 55A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, motor sürücüler, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. 10mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 175°C maksimum işletme sıcaklığında 77W güç dağıtabilir. ±20V gate voltaj aralığında çalışır ve 10V gate sürüşü ile kontrol edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5250 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 28A, 10V
Supplier Device Package TO-252 (MP-3ZK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok