Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP55N055SDG-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 55A TO252
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP55N055SDG
NP55N055SDG-E1-AY Hakkında
NP55N055SDG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilim ve 55A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paket tipinde sunulan bu bileşen, düşük 9.5mΩ (10V, 28A) RDS(on) direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 175°C maksimum işletme sıcaklığında 77W güç yayılabilir. Komponentin üretimi durdurulmuş olup, stok ve alternatif çözümler değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 77W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 28A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 (MP-3ZK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok