Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP55N03SUG-E1-AY
MOSFET N-CH 30V 55A TO252
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP55N03SUG
NP55N03SUG-E1-AY Hakkında
NP55N03SUG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ile 55A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük açık direnci (RDS On) ile 5mΩ @ 28A, 10V değerinde çalışır. 93nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama işlemleri için uygun tasarlanmıştır. Maksimum 175°C junction sıcaklığında 77W güç tüketebilir. Güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilim aralığında güvenli çalışır. NOT: Bu ürün Obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 77W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 28A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 (MP-3ZK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok