Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP52N055SUG-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 52A TO252
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP52N055SUG
NP52N055SUG-E1-AY Hakkında
NP52N055SUG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V Drain-Source gerilim sınırlaması ile 52A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) paket tipi sayesinde kompakt tasarımlar için uygundur. 14mOhm maksimum On-Resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. Gate threshold gerilimi 4V'dur ve ±20V Gate-Source gerilim aralığında güvenli çalışır. Anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 175°C'ye kadar çalışma sıcaklığında ve 56W Tj'de ısı dağıtım kapasitesi ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 (MP-3ZK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok