Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP50P06SDG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP50P06SDG
NP50P06SDG-E1-AY Hakkında
NP50P06SDG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 50A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (16.5mOhm @ 25A, 10V) sayesinde enerji kaybını minimize eder. Motor kontrol devrelerinde, güç kaynağı tasarımlarında ve anahtarlamalı güç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 175°C maksimum çalışma sıcaklığı ile yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sağlar. Surface mount montajı elektrik devre kartlarının kompakt tasarlanmasını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 84W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 (MP-3ZK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok