Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP50P04SDG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP50P04SDG
NP50P04SDG-E1-AY Hakkında
NP50P04SDG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajı ve 50A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket içinde sunulur.
Bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 9.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Maksimum çalışma sıcaklığı 175°C'dir. Gate charge 100nC @ 10V olup, hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. ±20V maksimum gate voltajında çalışabilir.
Bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 9.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Maksimum çalışma sıcaklığı 175°C'dir. Gate charge 100nC @ 10V olup, hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. ±20V maksimum gate voltajında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 84W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 (MP-3ZK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok