Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP50P04KDG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 50A TO263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP50P04KDG
NP50P04KDG-E1-AY Hakkında
Renesas Electronics'in NP50P04KDG-E1-AY ürünü, 40V drain-source voltajında 50A sürekli akım kapasitesine sahip bir P-Channel MOSFET transistörüdür. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük direnç kaybı sağlar. Gate charge değeri 100nC olup, hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş voltaj aralığında çalışabilmektedir. 175°C çalışma sıcaklığına ve 90W ısıl yayılım kapasitesine sahip olan bu MOSFET, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücü ve ters polarlık koruması gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. Aktif üretimde olan bu bileşen, endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5100 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok