Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP50P03YDG-E1-AY
MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP50P03YDG
NP50P03YDG-E1-AY Hakkında
NP50P03YDG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 50A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-HSON yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 8.4mΩ on-resistance değerine sahiptir. Maximum 175°C junction sıcaklığında çalışabilir. Gate charge değeri 96nC olup gating uygulamalarında hızlı anahtarlama performansı sunar. Güç yönetimi, anahtarlayıcı regülatörler, motor sürücüleri ve ters kutuplama koruması gibi düşük gerilim uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilim toleransı ile geniş uygulama alanında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 102W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSON |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok