Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP40N10YDF-E1-AY
MOSFET N-CH 100V 40A 8HSON
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerLDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP40N10YDF
NP40N10YDF-E1-AY Hakkında
NP40N10YDF-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ile 40A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 25mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerLDFN (8-HSON) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve 120W (junction sıcaklığında) güç dağıtabilir. Gate charge 71nC olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerLDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSON |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok