Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP40N10VDF-E1-AY
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP40N10VDF
NP40N10VDF-E1-AY Hakkında
NP40N10VDF-E1-AY, Rochester Electronics tarafından üretilen bir N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 40A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılan güç transistörüdür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç (Rds On) değeri ile enerji kaybını minimize eder. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 175°C'ye kadar çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Obsolete durumda olması nedeniyle yeni tasarımlarda alternatif bileşen seçimi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 (MP-3ZP) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok