Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP40N10PDF-E1-AY
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP40N10PDF
NP40N10PDF-E1-AY Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen NP40N10PDF-E1-AY, 100V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drenaj akımına sahip N-channel power MOSFET'tir. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (27mΩ @ 20A, 10V) ile yüksek verimli anahtar uygulamalarında kullanılır. 71nC gate charge ve 3150pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve ağır yük anahtarlama devrelerinde uygulanır. ±20V gate gerilim aralığında çalışır ve -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında stabil performans sağlar. Maksimum 120W (Tc) güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Not: Bu ürün üretim dönemini tamamlamıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok