Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP36P06SLG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 36A TO252
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP36P06SLG
NP36P06SLG-E1-AY Hakkında
NP36P06SLG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 36A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) surface mount paketi ile PCB entegrasyonu sağlar. 30mOhm maksimum drain-source direnci (RdsOn) ile düşük güç kaybı ve verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. Güç kaynakları, motor kontrolü, load switching ve high-side switch uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 (MP-3ZK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok