Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP36P06KDG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 36A TO263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP36P06KDG
NP36P06KDG-E1-AY Hakkında
NP36P06KDG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı ve 36A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263 paketinde sunulan bu transistör, düşük RDS(on) değeri (29.5mOhm @ 18A, 10V) sayesinde enerji kaybını minimize eder. 175°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 56W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, özellikle anahtarlama regülatörleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. Hızlı kapanış/açılış karakteristiği ve düşük gate charge değeri (54nC @ 10V) ile verimli tasarımlara olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29.5mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok