Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NP36P04SDG-E1-AY

MOSFET P-CH 40V 36A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NP36P04SDG

NP36P04SDG-E1-AY Hakkında

NP36P04SDG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 36A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yer alır. 17mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. 4.5V ve 10V drive voltajlarında belirtilen özelliklerle hızlı ve verimli anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package TO-252 (MP-3ZK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok