Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP35N055YUK-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP35N055YUK
NP35N055YUK-E1-AY Hakkında
NP35N055YUK-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-direnç değeri (6.7mΩ @ 18A, 10V) ile verimli anahtarlama işlemleri sağlar. 8-HSON SMD pakette sunulan transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında kullanılmasını mümkün kılar. Gate eşik gerilimi 4V olup ±20V maksimum gate gerilimini tolere eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 97W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSON |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok