Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP35N04YUG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP35N04YUG
NP35N04YUG-E1-AY Hakkında
NP35N04YUG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltaj kapasitesi ve 35A sürekli drain akımı özelliğine sahip bu bileşen, düşük on-resistance değeri (10mΩ @ 17.5A, 10V) ile verimli güç anahtarlaması sağlar. 8-HSON SMD paketlemesi ve exposed pad tasarımı sayesinde yüksek güç uygulamalarında ısıl yönetimi kolaylaştırır. Maksimum 77W güç yayma kapasitesiyle (Tc'de) anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. ±20V gate voltaj aralığı ve 175°C çalışma sıcaklığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 77W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 17.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSON |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok