Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP35N04YLG-E1-AY
ABU / MOSFET
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP35N04YLG
NP35N04YLG-E1-AY Hakkında
NP35N04YLG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 9.7mΩ RDS(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. 51nC gate charge ve 2850pF input capacitance karakteristikleri ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. 8-HSON SMD paketinde sunulan bu transistör, DC-DC konvertörleri, inverterler, motor sürücüleri ve endüstriyel güç yönetim devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile +175°C arasında çalışır ve maksimum 77W güç hızını (Tc'de) destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 77W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7mOhm @ 17.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSON |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok