Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NP34N055SLE-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 34A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NP34N055SLE

NP34N055SLE-E1-AY Hakkında

NP34N055SLE-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 34A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 18mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate threshold gerilimi 2.5V ve maksimum ±20V Vgs ile hızlı anahtarlama performansı sunar. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Industrial ve consumer elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package TO-252 (MP-3ZK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok