Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP32N055SLE-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 32A TO252
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP32N055SLE
NP32N055SLE-E1-AY Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen NP32N055SLE-E1-AY, N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilim ve 32A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrolü, anahtar modlu güç kaynakları ve yük anahtarlaması gibi devrelerde kullanılır. 24mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. 2.5V eşik gerilimi ile TTL/CMOS uyumlu sürülmesi mümkündür. Maksimum 175°C jonksiyon sıcaklığında çalışabilir. Surface mount montajı için uygun olan bu MOSFET, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 66W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 (MP-3ZK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok