Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP32N055SHE-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 32A TO252
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP32N055SHE
NP32N055SHE-E1-AY Hakkında
NP32N055SHE-E1-AY, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 32A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 25mOhm maksimum on-resistance ile anahtarlama kayıplarını azaltır. 175°C maksimum jonksiyon sıcaklığında çalışabilir. Düşük gate charge (32nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama özellikleri sunar. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Surface mount teknolojisi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun montaj sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 66W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 (MP-3ZK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok