Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP23N06YDG-E1-AY
MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP23N06YDG
NP23N06YDG-E1-AY Hakkında
NP23N06YDG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 23A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (10V gate gerilimde 27mΩ) ile verimli anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 8-HSON paket içinde sunulan bileşen, yüksek frekans güç dönüştürücü devreleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve switch mode güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir, maksimum 1W Ta / 60W Tc güç tüketimine dayanır. ±20V maksimum gate gerilimi ve 2.5V eşik gerilimi ile güvenli ve kontrollü çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 11.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSON |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok