Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP22N055SLE-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 22A TO252
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP22N055SLE
NP22N055SLE-E1-AY Hakkında
NP22N055SLE-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 22A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 10V gate geriliminde 37mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V maksimum gate gerilim toleransı ve -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Yüksek frekanslı anahtarlama uygulamaları için 23nC gate yükü karakteristiği önemli bir parametredir. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 (MP-3ZK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok