Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP22N055SHE-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 22A TO252
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP22N055SHE
NP22N055SHE-E1-AY Hakkında
NP22N055SHE-E1-AY, Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 22A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakete yerleştirilmiş olan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve PWM anahtarlamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 39mOhm'luk düşük RDS(on) direnci ile verimli çalışır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Obsolete (kullanımdan kaldırılmış) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 (MP-3ZK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok