Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP20P06YLG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 20A 8HSON
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP20P06YLG
NP20P06YLG-E1-AY Hakkında
NP20P06YLG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 47mΩ maksimum on-direnci (10A, 10V koşullarında) düşük güç kaybı sağlar. 8-HSON yükseltilmiş pad paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, motor sürücüler, pil yönetim sistemleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilmektedir. -175°C'ye kadar çalışabilir ve 57W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2407 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSON |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok