Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP20P06SLG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 20A TO252
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP20P06SLG
NP20P06SLG-E1-AY Hakkında
NP20P06SLG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 48mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 175°C maksimum çalışma sıcaklığında ve 38W güç dağıtımı kapasitesiyle endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Şarj kontrolleri, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Gate Charge değeri 34nC olup, hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1650 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 (MP-3ZK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok