Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NP180N04TUK-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
NP180N04TUK

NP180N04TUK-E1-AY Hakkında

Renesas Electronics tarafından üretilen NP180N04TUK-E1-AY, N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajında 180A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 1.05mOhm düşük on-resistance değerine ulaşır. Yüksek akım uygulamalarında düşük ısıl direnç ve verimli güç dağıtımı sağlayan 348W (Tc'de) maksimum güç tüketim kapasitesiyle tasarlanmıştır. Motor kontrol, güç kaynakları, anahtarlama uygulamaları ve yüksek akım endüstriyel sistemlerinde kullanılır. -175°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklıdır. Surface mount montaj tipiyle modern PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15750 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package TO-263-7
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok