Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP180N04TUG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP180N04TUG
NP180N04TUG-E1-AY Hakkında
NP180N04TUG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 180A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılan bir yariiletken bileşenidir. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 1.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC konvertörler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±20V gate-source gerilimi aralığında çalışabilir ve maksimum 175°C çalışma sıcaklığına dayanır. 288W (Tc) güç tüketimi kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 390 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 288W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok