Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP180N04TUG-E1-AY
180A, 40V, N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP180N04TUG
NP180N04TUG-E1-AY Hakkında
NP180N04TUG-E1-AY, Rochester Electronics tarafından üretilen 180A sürekli drenaj akımına ve 40V Vdss değerine sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 1.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 175°C maksimum çalışma sıcaklığında 288W güç dağıtabilir. Güç elektronikleri, motor kontrol, enerji dönüştürme uygulamalarında ve yüksek akım anahtarlama devreleri tasarımında kullanılır. 10V gate drive voltajı ile uyumlu tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 390 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 288W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok