Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NP179N04TUK-E1-AY

AUTOMOTIVE MOS

Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
NP179N04TUK

NP179N04TUK-E1-AY Hakkında

NP179N04TUK-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, otomotiv uygulamaları için tasarlanmıştır. 40V drain-source gerilim ve 180A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-263-7 (D²Pak) surface mount paketinde sunulan bu transistör, 1.25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık direnç sağlar. Motor kontrol devrelerinde, güç dağıtım sistemlerinde, şarj kontrol uygulamalarında ve otomotiv elektrik sistemlerinde switch ve amplifikasyon işlevleri görmektedir. -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sağlayan geniş sıcaklık aralığı, zorlu otomotiv ortamlarında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13350 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 288W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package TO-263-7
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok